垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。

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国外媒体报道，向人脑中植入大脑芯片、让人类拥有超人的记忆力，这听上去好似科幻片中的情节。但富有开创精神的神经科学家已经准备开始在人类身上尝试这一未来科技了，目前研发的记忆芯片已经在小鼠身上测试成功，有朝一日或能成为一种商业产品，帮助人们提高记忆力。

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